交易大厅实现大功率超大功率射频芯片研发，研究解决热均匀性改善方法等问题，L和S波段大功率RF LDMOS芯片设计。研究内容：
（1）L波段，450W RF LDMOS的芯片设计；
（2）S波段，100W RF LDMOS的芯片设计和热效应研究
主要技术创新点：
（1）采用深沟槽技术代替传统的深硼扩散技术，降低器件源端寄生电阻和寄生电感；
（2）采用深沟槽技术形成厚度超过4微米的氧化隔离层，大大降低寄生电容；
（3）采用自对准多晶硅化物技术，在保证短的多晶硅栅尺寸的情况下大大降低多晶硅栅电阻，提高器件速度；
（4）采用多层布线技术，降低布线层之间的寄生电容。
（5）通过沟槽源端金属填充技术，形成低阻低寄生电感源端连通结构；
有2款在航空电子和民用雷达领域的代表性应用产品：
（1）工作频率965-1215 MHz，工作电压50V,脉冲峰值功率450W，增益13dB，效率40%；
（2）工作频率2700-3100 MHz，工作电压30V,脉冲峰值功率100W，增益10dB，效率40%。
成果市场前景（限200字）
无线通讯系统和物联网的一个重要组件是射频功率放大器，这些放大器必须满足严格的性能规格如输出功率和线性度等的要求，以符合国际通讯联合会ITU的规则，同时还在射频功率、功耗附加效率、工作电压、物理尺寸、可靠性和成本等方面有具体指标。以3G基站为例，从成本上看，功率放大器是基站上最昂贵的器件，其成本约占基站总成本的40%，而功放管又是功率放大器上最贵的器件，其成本约占80%。现代移动通信以及微波通信的发展，不但对射频大功率半导体器件的要求日渐提高，而且对RF组件高频带下高性能、低噪声和低成本有更高的需求。