国产自主IGBT器件及技术
文章来源:更新时间:2016/7/7
内容简介(成果内容简介、技术或产品指标约300-600字)
中国科学院微电子研究所在二十多年功率器件研发经验的基础上,依托自有的世界先进的电力电子器件全参数测试平台和可靠性设计测试分析平台,结合行业内上下游资源,开发出了电压600V-6500V、电流10A-100A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品。 IGBT作为新型电力电子器件的典型代表,广泛应用于智能电网、高速列车、新能源发电、新能源汽车、工业变频、家用电器等诸多领域,是关系国家能源、交通、工业、家电等国计民生的核心电子元器件,具有重要的战略意义。目前我国IGBT产品的技术和市场完全被少数国外企业垄断,尤其在高端应用领域。 中国科学院微电子研究所在国内首次开发出了采用沟槽栅和场截止技术的IGBT产品,具有完全自主知识产权,目前相关产品已批量市场化或小批量应用于感应加热、逆变焊机、变频器、UPS、光伏发电等领域,今年已累计实现销售额500余万元。产品性能参数和实际应用中的表现与国外最新一代产品相当,得到了用户的一致认可。
成果市场前景(限200字)
目前中国市场对IGBT的需求达到每年300亿元以上,而且越是高端的应用领域,产品的利润率越高。在前期稳定应用的基础上,利用逐渐形成的品牌知名度,中国科学院微电子研究所的IGBT产品将逐渐向智能电网、高速列车、新能源汽车、工业变频等领域延伸。另外依托于强大的技术优势,可以根据客户的具体要求,开发定制的IGBT产品。预计3年内可以实现年销售额超1亿元的目标。